130℃燒結(jié)無壓納米銀膏驅(qū)動光電器件國產(chǎn)化浪潮的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)變革

一 技術(shù)突破：130℃超低溫?zé)Y(jié)納米銀膏的國產(chǎn)化實(shí)現(xiàn)

1材料性能躍升

130℃超低溫?zé)Y(jié)納米銀膏是整個無壓燒結(jié)銀行業(yè)的新突破，善仁新材的納米銀膏AS9338通過納米顆粒表面能優(yōu)化和有機(jī)載體創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)130℃無壓燒結(jié)，燒結(jié)層致密度達(dá)92%以上，熱導(dǎo)率突破140 W/m·K，剪切強(qiáng)度達(dá)35MPa以上，滿足車規(guī)級可靠性要求。

2工藝兼容性突破
開發(fā)適配現(xiàn)有SMT產(chǎn)線的無壓燒結(jié)工藝，無需改造設(shè)備即可替代傳統(tǒng)焊料。例如，善仁新材的AS9338在普通烤箱中130℃燒結(jié)90分鐘，良率超99%。

3成本優(yōu)勢顯著
善仁新材通過納米銀粉國產(chǎn)化和綠色合成工藝，銀膏成本從進(jìn)口的36萬元/公斤降至19萬元/公斤，降幅達(dá)67%。以單顆激光雷達(dá)模塊為例，銀耗成本從200元降至68元。

二 核心應(yīng)用場景與國產(chǎn)替代進(jìn)展

1激光雷達(dá)（LiDAR）

技術(shù)突破：AS9338燒結(jié)銀膏用于InGaAs光電探測器封裝，響應(yīng)波長擴(kuò)展至2.6 μm，熱阻降至0.08℃·cm/W，使激光雷達(dá)探測距離突破300米。

國產(chǎn)化案例：**M1激光雷達(dá)采用國產(chǎn)銀膏后，模組成本降低40%，良率從75%提升至92%。

2Micro-LED顯示

技術(shù)突破：通過納米銀膏實(shí)現(xiàn)倒裝芯片（Flip-Chip）無焊料互連，像素密度達(dá)3000 PPI，功耗降低30%。

國產(chǎn)化案例：**Vision Pro的Micro-LED模組采用無壓納米燒結(jié)銀膏，產(chǎn)線節(jié)拍提升至1200片/小時。

3柔性光伏組件

技術(shù)突破：AS9120BL銀漿用于鈣鈦礦電池電極，方阻低至3 Ω/sq，0BB無主柵技術(shù)使銀耗減少30%。

國產(chǎn)化案例：**組件采用國產(chǎn)納米銀膏后，單瓦成本下降0.05元，產(chǎn)能提升至10 GW/年。

三 國產(chǎn)化浪潮的三大驅(qū)動力

1政策與資本助推

國家大基金三期將第三代半導(dǎo)體封裝材料列為重點(diǎn)，2025年累計(jì)投資超50億元。

2產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新

善仁新材與**共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，開發(fā)出適配800V高壓平臺的耐電遷移銀膏（電遷移率<1×10?1? A/cm2·V?1）。

3設(shè)備國產(chǎn)替代

**智能推出130℃無壓燒結(jié)設(shè)備適配AS9338，溫控精度±0.5℃，價格僅為進(jìn)口設(shè)備的1/5。

四 未來趨勢：從替代到定義標(biāo)準(zhǔn)

1三維集成突破
利用130℃燒結(jié)銀膏的低熱應(yīng)力特性，構(gòu)建3D堆疊光電芯片。實(shí)驗(yàn)顯示，HBM3與計(jì)算單元的垂直互連密度達(dá)1 TB/s/cm2，功耗降低50%。

2量子級聯(lián)集成
在InAs/GaSb量子阱器件中集成無壓納米銀膏互連，工作溫度從液氮溫區(qū)（77K）提升至室溫，功耗降低90%，為量子計(jì)算芯片封裝提供新方案。

結(jié)語

善仁新城的130℃燒結(jié)無壓納米銀膏AS9338的國產(chǎn)化突破，不僅解決了光電器件“卡脖子”難題，更重構(gòu)了全球無壓燒結(jié)銀膏的產(chǎn)業(yè)鏈格局。隨著材料性能持續(xù)優(yōu)化（如熱導(dǎo)率向300 W/m·K邁進(jìn)）和成本優(yōu)勢擴(kuò)大（較進(jìn)口產(chǎn)品低30%以上），善仁新材納米銀膏正從“替代進(jìn)口”轉(zhuǎn)向“定義標(biāo)準(zhǔn)”，在第三代半導(dǎo)體、6G通信、量子信息等*領(lǐng)域開辟新賽道。這場由材料創(chuàng)新引領(lǐng)的國產(chǎn)化浪潮，或?qū)⒅厮苋蚬怆娖骷a(chǎn)業(yè)版圖。