SiC 功率模塊無壓低溫銀燒結雙面冷卻制造工藝

 SiC 功率模塊無壓低溫銀燒結雙面冷卻制造工藝

一  SIC封裝創(chuàng)新思路

針對引線封裝存在的可靠性問題，善仁新材創(chuàng)研中心提出平面封裝型SiC電力電子器件封裝策略。 該封裝策略采用引線框架代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鍵合引線，并通過AS9330納米銀焊膏實現(xiàn)器件與基板和門極/源極引線框架的無壓低溫互連。 低溫無壓銀燒結SiC功率模塊可穩(wěn)定工作在250 ℃，-55~ 250 ℃的高低溫老化沖擊實驗200個周期沒有發(fā)生失效。

在此基礎上，針對SiC電力電子器件高溫 和高頻特性可能帶來的可靠性問題，有學者開展了高散熱雙面冷卻封裝集成策略研究，該封裝設計中高導熱的無氧銅塊代替了傳統(tǒng)的引線互連，并采用無壓銀燒結方法完成雙面冷卻結構模塊的封裝。

這種雙面冷卻封裝結構較大限度地縮短了高溫 SiC 器件的散熱和電氣互連路徑，能夠有效提高模塊的功率集成度的同時減小封裝雜散電感，這有助于充分發(fā)揮擁有高功率密度的 SiC 器件的高頻和高溫優(yōu)勢。 相比Si器件，由于SiC器件有著更高的楊氏模量和工作溫度使得引線鍵合界面更容易發(fā)生疲勞失效，而雙面冷卻封裝結構能夠有效的消除引線鍵合界面失效的潛在風險。 然而，由于雙面冷卻封裝中SiC器件兩側均受到基板約束，在服役過程中將承受更大的熱-機械應力。 為減小這種封裝應力，低CTE的鉬片用于補償SiC 基器件源區(qū)一側基板引入的高附加應力，低楊氏模量的燒結銀連接界面用于緩沖SiC基器件漏區(qū)一側基板給器件帶來的封裝應力。

為了驗證此策略，使用1200V/400A車用SiC功率模塊的低應力封裝工藝，此器件的燒結面積4.4 mm×4.0 mm，鉬片厚度為1.5 mm，氧化鋁襯底基板的厚度為1.2 mm。 兩側基板均采用AS9330低溫無壓銀燒結技術以實現(xiàn)器件和鉬片的互連，燒結后形成器件-基板組件和鉬片-基板組件結構連接，燒結后兩組組件的連接使用傳統(tǒng)的高溫焊料 Pb92.5Sn5Ag2.5。

以上連接工藝均在傳統(tǒng)真空回流爐中完成。相比傳統(tǒng)Si基功率封裝模塊，這種采用AS9330銀燒結的SiC功率模塊的熱阻降低了40%，體積減小50%。由于燒結過程大面積基板的翹曲問題，SiC 基器件的源區(qū)焊接面并沒有使用銀燒結，考慮到器件源區(qū)連接界面較接近SiC器件的結溫，該界面處可能更容易發(fā)生失效，所以采用對低壓輔助燒結或借助適當治具有助于增加該界面的穩(wěn)定性，進而實現(xiàn)一次全銀燒結。

二 雙面冷卻 SiC 功率模塊的制造工藝

1印刷銀焊膏

2貼片

3燒結銀焊膏

4引線鍵合

5端子焊接

6放置焊片

7真空回流焊接

8塑封